8800MT/s！Intel推出全新MRDIMM高速内存

11月18日消息，推出Intel最近发布了至强6数据中心处理器率先应用MRDIMM(多路复用双列直插式内存模块)新型内存，全新以即插即用的高速方式大幅提升性能。

传统上，内存广泛应用的推出RDIMM（寄存式双列直插式内存模块）与处理器类似，均内置并行资源，全新但两者在资源利用方式上存在差异。高速RDIMM虽允许独立存储与数据访问在多个内存阵列间进行，内存却未能实现这一过程的推出同步化。

面对这一挑战，全新Intel工程师创造性地提出了一项解决方案：在DRAM模块上集成多路复用器，高速使得数据能够同时在两个内存阵列间进行高效传输。内存这一创新设计打破了传统限制，推出开启了内存访问的全新新纪元。

多路复用缓冲器的高速引入，进一步优化了MRDIMM的电力负载管理，从而促使接口速度相较于RDIMM实现了显著提升。得益于能够同时并行访问两个内存阵列，MRDIMM的带宽也随之翻倍，带来了前所未有的性能提升。

Intel此番推出的MRDIMM技术，成功铸就了其历史上最快的系统内存，峰值带宽从6400MT/s大幅跃升至8800MT/s，提升幅度接近40%。这一显著进步，在过去往往需要经过多次产品迭代方能实现，而今却在一夜之间成为现实。

MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性。该技术完美兼容常规RDIMM的连接器和外形规格，仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置，即可轻松实现升级，无需对主板进行任何改动。

此外，MRDIMM还全面继承了RDIMM的纠错机制及RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能，确保无论数据缓冲区中产生何种复杂的独立多路复用请求，都能有效维护数据的完整性与准确性。这一系列优势，无疑为MRDIMM技术在数据中心领域的广泛应用奠定了坚实的基础。